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APT1001R1BN PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT1001R1BN
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内容描述:
N沟道增强型高压功率MOSFET
[N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
文件大小:
56 K
文件页数:
4 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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D
TO-247
G
S
APT1001R1BN 1000V 10.5A 1.10
®
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
APT1001R3BN 1000V 10.0A 1.30
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT
1001RBN
APT
1001R3BN
单位
安培
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
1000
10.5
42
±30
310
2.48
1000
10
40
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
1
W / ℃,
°C
-55到150
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压
(V
GS
= 0V时,我
D
= 250
µA)
在国家漏极电流
2
APT1001R1BN
APT1001R3BN
APT1001R1BN
APT1001R3BN
APT1001R1BN
APT1001R3BN
典型值
最大
单位
1000
1000
10.5
安培
I
D
(上)
(V
DS
& GT ;我
D
(接通)个R
DS
(ON )最大值,V
GS
= 10V)
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D
[续] )
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
2
10
1.10
R
DS
(上)
1.30
250
1000
±100
2
4
µA
nA
I
DSS
I
GSS
V
GS
( TH )
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安)
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
050-0007版本C
0.40
40
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德,俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北