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APT10M09B2VR PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT10M09B2VR
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内容描述:
功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。
[Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
文件大小:
42 K
文件页数:
2 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT10M09B2VR
APT10M09LVR
100V 100A 0.009
W
B2VR
功率MOS V
®
功率MOS V
®
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应,
增加填充密度,并降低了导通电阻。功率MOS V
®
还实现了门,通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX ™
TO-264
LVR
•相同的规格:
T- MAX ™
或TO- 264封装
•更快的开关
•低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
D
G
S
• 100 %雪崩测试
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10M09
单位
安培
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
5
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
5
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
为C n
Ø ê
T I
ð AT
E
C
M
N
R
A
O
V
ð INF
A
100
100
400
5
±30
±40
625
5.0
W / ℃,
°C
安培
mJ
-55到150
300
100
50
(重复,不重复)
1
4
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
在国家漏极电流
2
5
典型值
最大
单位
安培
100
100
0.009
250
1000
2
4
±100
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
µA
nA
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
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欧洲
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电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
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