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APT20M38BVFR PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT20M38BVFR
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内容描述:
功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。
[Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
文件大小:
80 K
文件页数:
4 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT20M38BVFR
200V
67A 0.038
功率MOS V
®
FREDFET
TO-247
功率MOS V
®
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应,
增加填充密度,并降低了导通电阻。功率MOS V
®
还实现了门,通过优化布局更快的开关速度。
•快速恢复体二极管
•低漏
•更快的开关
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
• 100 %雪崩测试
FREDFET
D
G
S
•热门TO- 247封装
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M38BVFR
单位
安培
200
67
268
±30
±40
370
2.96
-55到150
300
67
30
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
在国家漏极电流
2
典型值
最大
单位
安培
200
67
0.038
250
1000
±100
2
4
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
µA
nA
050-5602修订版B
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安)
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北