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APT25GP90BDQ1 PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT25GP90BDQ1
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内容描述:
功率MOS 7 IGBT
[POWER MOS 7 IGBT]
文件大小:
444 K
文件页数:
9 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
  • 供货商
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典型性能曲线
®
APT25GP90BDQ1
APT25GP90BDQ1G*
APT25GP90BDQ1(G)
900V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
功率MOS 7 IGBT
®
TO
-2
47
功率MOS 7
®
IGBT是新一代高压功率IGBT的。使用打孔
通过这种技术IGBT适用于多种高频率,高电压开关
应用程序和已优化高频开关模式电源。
•低传导损耗
•低栅极电荷
•超快尾电流关断
•额定SSOA
G
C
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GP90BDQ1(G)
单位
900
±30
72
36
110
110A @ 900V
417
-55到150
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
°C
静态电气特性
符号
V
( BR ) CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
I
CES
I
GES
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 350µA)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 900V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
2
2
典型值
最大
单位
900
3
4.5
3.2
2.7
350
1000
±100
µA
nA
11-2005
050-7476
REV A
6
3.9
集电极截止电流(V
CE
= 900V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com