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型号.:
APT30M75BLL
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内容描述:
功率MOS 7 R MOSFET
[POWER MOS 7 R MOSFET]
文件大小:
93 K
文件页数:
5 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT30M75BLL
APT30M75SLL
300V 44A 0.075
BLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
®
R
MOSFET
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
®
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS ( ON)
®
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
•较低的输入电容
•降低米勒电容
•更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
SLL
•更高的功耗
•容易驾驶
• TO- 247或表面贴装ð
3
PAK封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30M75
单位
安培
300
44
176
±30
±40
329
2.63
-55到150
300
44
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
在国家漏极电流
2
典型值
最大
单位
安培
300
44
0.075
100
500
±100
3
5
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 22A )
µA
nA
1-2003
050-7155修订版A
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 300V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 240V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com