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APT50GF120LR PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT50GF120LR
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内容描述:
快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。
[The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.]
文件大小:
41 K
文件页数:
3 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT50GF120B2R
APT50GF120LR
1200V
APT50GF120B2R
80A
TO-264
( LR )
快速IGBT
快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。运用
非穿通技术的快速IGBT提供了优越的耐用性,
快速开关速度和低集电极 - 发射极电压上。
T-最大
(B2R)
•低正向压降
•低尾电流
•额定雪崩
最大额定值
符号
V
CES
V
CGR
V
EC
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM1
I
CM2
E
AS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
•高频率。切换到20KHz的
•超低漏电流
• RBSOA和SCSOA评分
G
C
E
G
C
C
E
APT50GF120LR
G
E
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GF120B2R/LR
单位
1200
RY
A
IN
集电极 - 栅极电压(R
GE
= 20KΩ)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 90°C
集电极电流脉冲
集电极电流脉冲
1
1
1200
15
±20
80
50
160
100
85
390
-55到150
300
安培
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 90°C
2
EL
IM
单脉冲雪崩能量
总功耗
mJ
°C
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
符号
BV
CES
RBV
CES
V
GE
( TH )
V
CE
(上)
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 0.5mA)即可
集电极 - 发射极反向击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 50毫安)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 700μA ,T
j
= 25°C)
PR
静态电气特性
典型值
最大
单位
1200
-15
4.5
5.5
2.9
3.5
6.5
3.4
4.1
0.5
待定
±100
mA
nA
052-6216 REVA
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 50A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 50A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V)
I
CES
I
GES
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
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