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APT50M60JVR PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT50M60JVR
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内容描述:
功率MOS V FREDFET
[POWER MOS V FREDFET]
文件大小:
167 K
文件页数:
5 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT50M60JVR
500V 63A
0.060
S
D
功率MOS V
®
MOSFET
功率MOS V
®
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应,
增加填充密度,并降低了导通电阻。功率MOS V
®
还实现了门,通过优化布局更快的开关速度。
S
G
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
®
•热门SOT- 227封装
•更快的开关
•低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
•额定雪崩能量
G
D
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50M60JVR
单位
安培
500
63
252
±30
±40
568
4.55
-55到150
300
63
50
4
1
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
漏源导通电阻
2
典型值
最大
单位
500
0.060
25
250
±100
2
4
(V
GS
= 10V ,我
D
= 31.5A)
µA
nA
5-2004
050-7250修订版A
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com