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APT8052BFLL PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT8052BFLL
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内容描述:
功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
文件大小:
160 K
文件页数:
5 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]


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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT8052BFLL_SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 15A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 15A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V V
GS
= 15V
I
D
= 15A ,R
G
= 5Ω
I
D
= 15A ,R
G
= 5Ω
R
G
= 1.6Ω
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
典型值
最大
单位
pF
2035
405
60
75
11
50
9
6
23
7
215
90
420
110
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
6
nC
ns
µ
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
V / ns的
ns
µC
安培
15
60
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -15A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs)内
反向恢复电荷
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs)内
峰值恢复电流
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs)内
特征
结到外壳
结到环境
200
350
0.69
2.66
8
14
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.42
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
0.45
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 10.76mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 15A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
-
ID
15A
di
/
dt
700A/µs
VR
800
TJ
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18,20 。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.9
0.7
0.5
注意:
PDM
7-2004
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-4
t1
t2
050-7059修订版B
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0