快速发布采购 管理采购信息

APT8052BFLL PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT8052BFLL
PDF下载:
下载PDF文件 在线浏览文档
内容描述:
功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
文件大小:
160 K
文件页数:
5 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]


 浏览型号APT8052BFLL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT8052BFLL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT8052BFLL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT8052BFLL的Datasheet PDF文件第5页 
典型性能曲线
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5.5V
5V
7V
6.5V
VGS = 15 V &10
APT8052BFLL_SFLL
8V
遥控模型
连接点
TEMP 。 ( ° C)
0.164
动力
(瓦特)
0.257
外壳温度。 ( ° C)
0.125F
0.00592F
I
D
,漏极电流(安培)
6V
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
图2 ,瞬态热阻抗模型
40
35
I
D
,漏极电流(安培)
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.40
V
GS
归一
= 10V @ I = 7.5A
D
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=10V
30
25
20
15
10
5
0
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
VGS=20V
0
16
14
I
D
,漏极电流(安培)
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
1.15
5
10
15
20
25
30
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
12
10
8
6
4
2
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
V
D
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 7.5A
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
GS
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
050-7059修订版B
7-2004