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APT8052BFLL PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
APT8052BFLL
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内容描述:
功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
文件大小:
160 K
文件页数:
5 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]


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典型性能曲线
60
I
D
,漏极电流(安培)
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
7,000
APT8052BFLL_SFLL
西塞
5
C,电容(pF )
10
100µS
1,000
科斯
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
800
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
I
D
1mS
10mS
100
CRSS
.1
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
I
DR
,反向漏电流(安培)
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
16
= 15A
100
12
VDS=100V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=250V
VDS=400V
4
20
40
60
80
100
120
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
60
50
t
D(关闭)
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
35
30
25
t
f
V
DD
G
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
40
30
20
10
V
DD
G
= 533V
= 533V
R
= 5Ω
t
r
和T
f
(纳秒)
T = 125°C
J
20
15
10
5
0
R
= 5Ω
T = 125°C
J
L = 100μH
L = 100μH
t
r
t
D(上)
0
5
15
20
25
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
700
600
开关能量( μJ )
= 533V
15
20
25
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
1000
V
I
DD
5
10
= 533V
R
= 5Ω
D
J
= 15A
T = 125°C
J
500
400
300
200
100
0
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
开关能量( μJ )
L = 100μH
800
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
600
E
on
400
E
on
7-2004
E
关闭
200
050-7059修订版B
15
20
25
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
5
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
0
5