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TCM810LENB713 PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
TCM810LENB713
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内容描述:
3引脚微控制器复位监视器 [3-Pin Microcontroller Reset Monitors]
文件大小:
141 K
文件页数:
14 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]



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TCM809/TCM810
3.0
3.1
应用信息
V
DD
瞬态抑制
曲线以上的组合被检测为一个
欠压或断电状态。瞬态免疫
角度讲可以通过添加在靠近电容器能够提高
邻近于V
DD
引脚TCM809 / TCM810的。
在TCM809 / TCM810提供准确V
DD
显示器 -
荷兰国际集团和复位在上电期间计时,断电和
掉电/凹陷的条件。这些器件还拒绝
负向瞬态脉冲干扰的电源支持
股线。图3-1显示了最大瞬态持续时间
化与最大负偏移(超速)的
瞬态抑制。持续时间和过的任何组合
驱动器中的曲线下在于不会产生复位
信号。
V
DD
V
TH
OVERDRIVE
3.2
复位信号的完整性在
掉电
长短
最大瞬态持续时间(微秒)
400
320
240
160
TCM8XXL/M/J
(SOT-23)
80
0
TCM8XXZ/R/S/T
(SOT-23)
T
A
= +25°C
在TCM809 RESET输出有效到V
DD
= 1.0V.
低于这个电压的输出变为"open税务局局长
cuit" ,不能吸收电流。这意味着CMOS
逻辑输入到单片机将悬浮在一个
不确定电压。大多数数字系统
完全关闭远高于此电压。
然而,在情况下复位必须main-
tained有效期至V
DD
= 0V ,一个下拉电阻必须
从RESET连接到地排出杂散
电容和保持输出为低电平(图3-2 ) 。这
电阻值,虽然不是关键的,应选择
使得它不会明显地加载有RESET下
正常操作(100 k将适合于最
应用程序)。类似地,一个上拉电阻到V
DD
is
为确保有效的高RESET所需TCM810
对于V
DD
低于1.0V 。
V
DD
V
DD
TCM809
RESET
R
1
100 kΩ
1
5
1000
100
复位比较OVERDRIVE
[V
TH
- V
DD
] (毫伏)
GND
130
V
DD
到复位延迟(微秒)
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
1
10
100
1000
TCM8XXZ/R/S/T
(SC-70)
TCM8XXL/M/J
(SC-70)
图3-2:
加的R
1
在TCM809的RESET输出保证
复位输出仍有效
V
DD
= 0V.
复位比较OVERDRIVE (MV )
[V
TH
- V
DD
] (毫伏)
图3-1:
最大瞬时
时间与毛刺抑制过激励的
+25°C.
2004年Microchip的科技公司
DS21661C第5页